Рекомендуем включить эту функцию, чтобы улучшить производительность памяти. Если у вас возникнут проблемы, отключите данную опцию.

SDRAM Active to Precharge Delay (Задержка при обновлении SDRAM)

Обычные опции: 4, 5, 6, 7, 8, 9.

Как и функция DRAM Act to PreChrg CMD, эта функция BIOS управляет минимальным временем активации банка памяти (tRAS). Под минимальным временем активации подразумевается временной интервал между активацией строки и моментом, когда эта строка может быть деактивирована.

Если период tRAS слишком велик, это может привести к снижению производительности, так как деактивация активных строк задерживается. При уменьшении периода tRAS активная строка будет деактивирована быстрее.

Однако если период tRAS слишком короткий, времени для завершения операции может быть недостаточно. Это снижает производительность системы и может вызвать потерю или повреждение данных.

Чтобы получить оптимальную производительность, используйте минимальное значение. Как правило, оно равно: CAS Latency (Время ожидания CAS) + tRCD + 2

цикла таймера. Например, если вы настроили CAS Latency на 2 цикла, а tRCD на 3 цикла, вы получаете значение, равное 7 циклам.

Если ваша система будет сообщать об ошибках или зависать, увеличьте значение tRAS на один цикл, чтобы стабилизировать работу.

SDRAM Bank Interleave (Чередование банков SDRAM)

Обычные опции: 2-Bank, 4-Bank, Disabled.

Эта функция BIOS служит для того, чтобы настроить режим чередования для интерфейса SDRAM.

Чередование позволяет банкам SDRAM изменять циклы обновления и доступа. Один банк проходит через цикл обновления, в то время как другой – через цикл доступа. Это позволяет улучшить производительность памяти путем маскировки циклов обновления для банков памяти. В результате процесс обмена между банками памяти напоминает конвейер.

Чередование банков работает только в том случае, если запрашиваемые адреса относятся к разным банкам. Если они находятся в одном банке памяти, операции по передаче данных выполняются без чередования. Процессор должен ждать завершения первой операции и обновления банка памяти, чтобы отправить в этот банк другой адрес.

Каждый модуль SDRAM делится на два или четыре банка памяти. Двойные модули SDRAM используют чипы 16 мегабит SDRAM (объемом 32 Мб или меньше) и имеют только два банка памяти. Модули SDRAM, которые используют чипы памяти 64 мегабит – 256 мегабит, имеют четыре банка памяти. Все модули SDRAM объемом 64 Мб и более имеют четыре банка памяти.

Если вы используете один двойной модуль SDRAM, настройте данную функцию на 2-Bank. Это единственное значение, которое доступно для одного двойного модуля SDRAM.

Если вы используете два и более двойных модуля SDRAM, то можете использовать как значение 4-Bank, так и значение 2-Bank. Конечно, мы рекомендуем выбрать настройку 4-Bank, чтобы улучшить производительность при чередовании.

Если вы используете модули SDRAM с четырьмя банками памяти, вы можете использовать как значение 4-Bank, так и значение 2-Bank. Конечно, мы рекомендуем выбрать настройку 4-Bank, чтобы улучшить производительность при чередовании.

Так как значение 4-Bank улучшает производительность при чередовании, советуем выбрать эту настройку, если ваша система ее поддерживает. Значение 2-Bank следует выбирать только в том случае, если ваша система работает с одним двойным модулем SDRAM.

Обратите внимание: компания Award (сейчас входит в состав компании Phoenix Technologies) рекомендует отключить чередование банков SDRAM при использовании модулей 16 мегабит SDRAM. Причина заключается в том, что ранние модули 16 мегабит SDRAM нестабильно работают с чередованием. Все современные модули SDRAM поддерживают чередование без проблем.

SDRAM Bank-to-Bank Delay (Задержка при передаче данных между банками SDRAM)

Обычные опции: 2 Cycles, 3 Cycles.

Эта функция BIOS определяет минимальное время между успешными командами ACTIVATE для одного и того же устройства DDR. Чем меньше задержка, тем быстрее может активироваться следующий банк для чтения или записи. Так как активация строки требует большой силы тока, короткая задержка может привести к выбросам тока.

При работе на обычном компьютере мы рекомендуем использовать задержку в 2 цикла, так как выбросы тока не имеют большого значения. Повышенная производительность при настройке более короткой задержки заслуживает отдельного внимания. Более короткая задержка приводит к тому, что активация банк-банк занимает на один цикл меньше. Это позволяет улучшить производительность устройства DDR.